无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展

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本月4日起,日本敲定管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这有一种重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,或者旗下的存储芯片、面板生产后会停产。

对三星来说,日本管制的材料中光刻机、氟化氢影响更大,对三星的晶圆代工、存储芯片生产全部后会致命影响,事先甚至有传闻称三星肯能得都还可以供应而停止研发7nm EUV工艺了。

不过三星似乎有意向外界证明在这场危机中亲戚亲戚其他同学有能力走出困境,敲定94日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”(SFF)将如期举行,敲定了韩媒所说的三星收回 日本论坛会议的报道

三星近年来加大了对晶圆代工市场的投入,每年后会举行多场“三星晶圆代工论坛”(SFF),94日的这次会议是日本专场,这次的重点将是三星研发中的3nm GAA环绕栅极工艺,这是5nm节点事先又另一俩个重大节点。

基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用纳米片设备制发明 了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术都都还可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

目前在3nm节点上,三星是第另一俩个也是唯另一俩个敲定具体技术路线的,Intel现在只提到7nm工艺,5nm都遥遥无期,更别说3nm工艺,而台积电虽然要投资2500亿美元建设3nm晶圆厂,不过尚未敲定过3nm的技术路线,不是上GAA晶体管也是未知数。

可是有在3nm节点上,三星自信亲戚亲戚其他同学会领先,有分析称三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间,领先Intel公司2-3年时间,都都还可以说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

按照规划,三星最快在2021年就要量产3nm GAA工艺了,届时Intel才会进入7nm量产初始街道,台积电会量产5nm工艺,试产3nm工艺。